DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 9.3 A 20 V Förbättring, 7 Ben, UDFN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

215,05 kr

(exkl. moms)

268,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 950 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +4,301 kr215,05 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
827-0462
Tillv. art.nr:
DMN2014LHAB-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

UDFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

28mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.7W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Bredd

2.05mm

Höjd

0.6mm

Längd

3.05mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.