DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 121-9597
- Tillv. art.nr:
- DMC2038LVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 959,00 kr
(exkl. moms)
6 198,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,653 kr | 4 959,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 121-9597
- Tillv. art.nr:
- DMC2038LVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | TSOT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 168mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12, +12V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Bredd | 1.65mm | |
| Standarder/godkännanden | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | |
| Längd | 2.95mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp TSOT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 168mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12, +12V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Bredd 1.65mm | ||
Standarder/godkännanden UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | ||
Längd 2.95mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 520 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-963 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 620 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101