DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 182-6913
- Tillv. art.nr:
- DMP2075UFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 386,00 kr
(exkl. moms)
5 484,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,462 kr | 4 386,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-6913
- Tillv. art.nr:
- DMP2075UFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | UDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 137mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.7V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.4W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.07mm | |
| Höjd | 0.55mm | |
| Bredd | 2.07mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp UDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 137mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.7V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.4W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.07mm | ||
Höjd 0.55mm | ||
Bredd 2.07mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Låg profil, 0,6 mm max höjd
ESD-skyddad grind
Helt blyfri
Halogen- och antimonfri. Grön enhet
Användningsområden
Lastväxlare
Strömhanteringsfunktioner
Bärbara nätadaptrar
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP2090UFDB AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP1009 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 9.3 A 20 V Förbättring, 7 Ben, UDFN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 50 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101