Sök efter MPN

DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 122-2883
Tillv. art.nr:: DMN63D8LV-7
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 815,00 kr

(exkl. moms)

2 268,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 22 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 - 12000	0,605 kr	1 815,00 kr
15000 - 27000	0,588 kr	1 764,00 kr
30000 - 72000	0,573 kr	1 719,00 kr
75000 - 147000	0,558 kr	1 674,00 kr
150000 +	0,544 kr	1 632,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 122-2883
Tillv. art.nr:: DMN63D8LV-7
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	DiodesZetex
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	260mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	SOT-563
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	13Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	450mW
	Framåtriktad spänning Vf	0.8V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	0.4nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Höjd	0.6mm
	Längd	1.7mm
	Standarder/godkännanden	UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke DiodesZetex
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 260mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp SOT-563
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 13Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 450mW
	Framåtriktad spänning Vf 0.8V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.4nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Höjd 0.6mm
	Längd 1.7mm
	Standarder/godkännanden UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard AEC-Q101

COO (ursprungsland):: CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET-transistorer, inbyggda dioder

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.