DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 557,00 kr

(exkl. moms)

5 697,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 60001,519 kr4 557,00 kr
9000 +1,481 kr4 443,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
122-3246
Tillv. art.nr:
DMG6601LVT-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TSOT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.3W

Framåtriktad spänning Vf

0.75V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

0.9mm

Längd

2.9mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Bredd

1.6mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.