DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 885-5362
- Tillv. art.nr:
- 2N7002VC-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
168,65 kr
(exkl. moms)
210,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 28 december 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 3,373 kr | 168,65 kr |
| 250 - 450 | 3,102 kr | 155,10 kr |
| 500 - 1200 | 2,919 kr | 145,95 kr |
| 1250 - 2450 | 2,688 kr | 134,40 kr |
| 2500 + | 2,471 kr | 123,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 885-5362
- Tillv. art.nr:
- 2N7002VC-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 280mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-563 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 40V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 S, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020, RoHS | |
| Längd | 1.7mm | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Höjd | 0.6mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 280mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-563 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 40V | ||
Maximal effektförlust Pd 150mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 S, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020, RoHS | ||
Längd 1.7mm | ||
Bredd 1.25mm | ||
Höjd 0.6mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 620 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.38 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Liten signal, 1.33 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
