DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

9 042,00 kr

(exkl. moms)

11 304,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 75 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,014 kr9 042,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
121-9598
Tillv. art.nr:
DMG6602SVT-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TSOT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

140mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.27W

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

0.9mm

Längd

2.9mm

Standarder/godkännanden

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Bredd

1.6mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.