DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 9.3 A 20 V Förbättring, 7 Ben, UDFN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
165-8742
Tillv. art.nr:
DMN2014LHAB-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

UDFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

28mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.5nC

Maximal effektförlust Pd

1.7W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Höjd

600μm

Bredd

2.05mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Längd

3.05mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.