Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9320
- Tillv. art.nr:
- IRF7820TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
104,16 kr
(exkl. moms)
130,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 645 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 20,832 kr | 104,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9320
- Tillv. art.nr:
- IRF7820TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 78mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 330mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 78mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 330mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en 200 V HEXFET-effektmosfet med en n-kanal i en SO 8-kapsel.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Den normala nivån är optimerad för 10 V gate-drivspänning
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -12 A -30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 5 A, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET