Infineon N Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

117,38 kr

(exkl. moms)

146,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 620 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +23,476 kr117,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9320
Tillv. art.nr:
IRF7820TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

SO-8

Serie

HEXFET

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

78mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

330mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är en 200 V HEXFET-effektmosfet med en n-kanal i en SO 8-kapsel.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Den normala nivån är optimerad för 10 V gate-drivspänning

Ytmonterad förpackning enligt industristandard

Kan våglödas

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.