Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -12 A -30 V, SO-8, HEXFET

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9336
Tillv. art.nr:
IRF9388TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-12A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Kapseltyp

SO-8

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

11.9mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är en stark IRFET-effektmosfet på -30 V p-kanal i en SO 8-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Ytmonterad förpackning enligt industristandard

Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.