Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9296
- Tillv. art.nr:
- IRF6644TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
62,61 kr
(exkl. moms)
78,262 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 470 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 31,305 kr | 62,61 kr |
| 20 - 48 | 27,55 kr | 55,10 kr |
| 50 - 98 | 25,93 kr | 51,86 kr |
| 100 - 198 | 24,135 kr | 48,27 kr |
| 200 + | 17,19 kr | 34,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9296
- Tillv. art.nr:
- IRF6644TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 57A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 57A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en stark IRFET-familj av powermosfeter som är optimerad för låg RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Högströmsklassning
Dubbel sidkylningskapacitet
Låg kapslingshöjd på 0,7 mm
Låg parasitisk (1 till 2 nH) induktanspaket
100 % blyfri (inget RoHS-undantag)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -12 A -30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET