Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9296
- Tillv. art.nr:
- IRF6644TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
59,92 kr
(exkl. moms)
74,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 470 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 29,96 kr | 59,92 kr |
| 20 - 48 | 26,32 kr | 52,64 kr |
| 50 - 98 | 24,865 kr | 49,73 kr |
| 100 - 198 | 23,07 kr | 46,14 kr |
| 200 + | 16,465 kr | 32,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9296
- Tillv. art.nr:
- IRF6644TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 57A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 57A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
High current rating
Dual side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package
100 percent lead free (No RoHS exemption)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 57 A 100 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 10 A 80 V SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal -9 A 20 V SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal -7.4 A -12 V SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal -6.7 A -20 V SO-8, HEXFET
