Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9296
- Tillv. art.nr:
- IRF6644TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
72,02 kr
(exkl. moms)
90,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 470 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 36,01 kr | 72,02 kr |
| 20 - 48 | 31,695 kr | 63,39 kr |
| 50 - 98 | 29,85 kr | 59,70 kr |
| 100 - 198 | 27,775 kr | 55,55 kr |
| 200 + | 19,77 kr | 39,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9296
- Tillv. art.nr:
- IRF6644TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 57A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 57A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en stark IRFET-familj av powermosfeter som är optimerad för låg RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Högströmsklassning
Dubbel sidkylningskapacitet
Låg kapslingshöjd på 0,7 mm
Låg parasitisk (1 till 2 nH) induktanspaket
100 % blyfri (inget RoHS-undantag)
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET