Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9296
- Tillv. art.nr:
- IRF6644TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
72,02 kr
(exkl. moms)
90,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 470 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 36,01 kr | 72,02 kr |
| 20 - 48 | 31,695 kr | 63,39 kr |
| 50 - 98 | 29,85 kr | 59,70 kr |
| 100 - 198 | 27,775 kr | 55,55 kr |
| 200 + | 19,77 kr | 39,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9296
- Tillv. art.nr:
- IRF6644TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 57A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 57A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 100 V maximal drain-source-spänning, 57 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRF6644TRPBF
Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för strömomkoppling och styrning i elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i ett kompakt SO-8-paket för montering på kretskort. Enheten är lämplig där hög strömhantering och ett blygsamt framåtriktat diodfall krävs, och den uppfyller RoHS-miljöbegränsningar.
Funktioner och fördelar:
• 100 V nominell spänning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 57 A kontinuerlig ström stöder tillämpningar med hög belastning
• 13 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 89 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 28 nC grindladdning möjliggör förutsägbara krav på grinddrivning
• 57 A kontinuerlig ström stöder tillämpningar med hög belastning
• 13 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 89 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 28 nC grindladdning möjliggör förutsägbara krav på grinddrivning
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för synkron likriktering i switchade strömförsörjningsenheter
• Används med motordrivningssteg som kräver hög ström
• Kan användas för omkoppling på höga eller låga sidor
• Lämplig för mellanbuss- och strömhanteringskretsar
• Idealisk för synkron likriktering i switchade strömförsörjningsenheter
• Används med motordrivningssteg som kräver hög ström
• Kan användas för omkoppling på höga eller låga sidor
• Lämplig för mellanbuss- och strömhanteringskretsar
Vilket är det tillåtna drifttemperaturområdet?
Den fungerar på ett minimum av -55 °C upp till maximalt 150 °C.
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under drift?
Grinden får inte överstiga ±20 V i förhållande till källan för att förhindra skador.
Hur uppför sig den inneboende dioden vid framåtriktad ledning?
Den inbyggda dioden uppvisar en framåtvänd spänning på 1,3 V under ledning.
Vilken förpackning bör förväntas för kortmontering?
Den levereras i en SO-8-förpackning för ytmontering som är lämplig för standardlödmontering.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET