Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

22 332,00 kr

(exkl. moms)

27 916,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +5,583 kr22 332,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9319
Tillv. art.nr:
IRF7820TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SO-8

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

78mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29nC

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

330mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är en 200 V HEXFET-effektmosfet med en n-kanal i en SO 8-kapsel.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Den normala nivån är optimerad för 10 V gate-drivspänning

Ytmonterad förpackning enligt industristandard

Kan våglödas

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.