Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 273-2805
- Tillv. art.nr:
- IRF7351TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
22 256,00 kr
(exkl. moms)
27 820,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 5,564 kr | 22 256,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2805
- Tillv. art.nr:
- IRF7351TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
The Infineon MOSFET is a 60V N Channel HEXFET Power MOSFET. This MOSFET is used for low power motor drive systems and for isolated DC to DC converters.
Ultra low gate impedance
20V VGS maximum gate rating
Fully characterized avalanche voltage and current
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 8 A 60 V Förbättring SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 14 A 30 V Förbättring SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 9 A 40 V Förbättring SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 13 A 30 V Förbättring SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 6.9 A 100 V Förbättring SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 1.9 A 150 V Förbättring SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 3.6 A 150 V Förbättring SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 5.4 A 100 V Förbättring SO-8, HEXFET
