Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

RS-artikelnummer:: 273-2805
Tillv. art.nr:: IRF7351TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

24 972,00 kr

(exkl. moms)

31 216,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 november 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	6,243 kr	24 972,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 273-2805
Tillv. art.nr:: IRF7351TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	SO-8
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	17.8mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	36nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp SO-8
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 17.8mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

COO (ursprungsland):: PH

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 8 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRF7351TRPBF

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och styrning i kompakta enheter. Den fungerar över ett utökat temperaturområde som är lämpligt för tuffa miljöer och levereras i en SO-8-kapsel för automatiserade monteringsprocesser.

Funktioner och fördelar:

• 17.8 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för högströmsomkoppling
• 60 V Vds möjliggör drift i stegen med måttlig spänning
• 8A Id stöder betydande kontinuerlig strömförsörjning
• 36nC Qg förbättrar omkopplingskontrollen för konstruktion av drivkretsar
• 2 W Pd begränsar termisk stress i begränsade kretskortslayouter

Användningsområden

• Lämplig för SMD-effektsteg med hög strömstyrka
• Perfekt för extrema driftsförhållanden inom fordonselektronik
• Används med kompakta motordrivarmoduler
• Kan användas för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Lämplig för ytmonterade lastomkopplare

Vilka grindspänningsbegränsningar bör iakttas?

Grinden får inte överstiga 20 V i förhållande till källan för att förhindra skador.

Hur påverkar det termiska intervallet valet av implementering?

Enheten fungerar från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med utökad temperatur.

Vilken monteringsmetod krävs för denna komponent?

Den är avsedd för ytmontering i ett SO-8-fotavtryck för automatiserad lödning.

Vilket kanalledningsläge implementeras?

Transistorn fungerar i förstärkningsläge med N-typ-kanalledning.