Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

22 256,00 kr

(exkl. moms)

27 820,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +5,564 kr22 256,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2805
Tillv. art.nr:
IRF7351TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

17.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

The Infineon MOSFET is a 60V N Channel HEXFET Power MOSFET. This MOSFET is used for low power motor drive systems and for isolated DC to DC converters.

Ultra low gate impedance

20V VGS maximum gate rating

Fully characterized avalanche voltage and current

Relaterade länkar