Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -6.7 A -20 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9310
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-519
- Tillv. art.nr:
- IRF7404TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
76,72 kr
(exkl. moms)
95,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,672 kr | 76,72 kr |
| 100 - 240 | 7,269 kr | 72,69 kr |
| 250 - 490 | 6,989 kr | 69,89 kr |
| 500 - 990 | 6,675 kr | 66,75 kr |
| 1000 + | 6,227 kr | 62,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9310
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-519
- Tillv. art.nr:
- IRF7404TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -6.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -20V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33.3nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -6.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -20V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33.3nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en stark IRFET-familj av powermosfeter som är optimerad för låg RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal -6.7 A -20 V SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 5 A SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 8 A 60 V Förbättring SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 10 A 80 V SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal -9 A 20 V SO-8, HEXFET
