Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9301
- Tillv. art.nr:
- IRF7313TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
59,25 kr
(exkl. moms)
74,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 240 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,925 kr | 59,25 kr |
| 100 - 240 | 5,634 kr | 56,34 kr |
| 250 - 490 | 5,51 kr | 55,10 kr |
| 500 - 990 | 5,163 kr | 51,63 kr |
| 1000 + | 4,155 kr | 41,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9301
- Tillv. art.nr:
- IRF7313TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 46mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.78V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Maximal drain-källresistans Rds 46mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.78V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är 30 V dubbel n-kanal HEXFET-effektmosfet i en SO 8-kapsel.
RoHS-kompatibel
Låg RDS(on)
Dynamisk dv/dt-klassning
Snabbväxlande
Dubbel n-kanal MOSFET
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -12 A -30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -9.2 A -30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET