Toshiba N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V, 6 Ben, US6

Se alla MOSFET-transistor

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

2 700,00 kr

(exkl. moms)

3 360,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,90 kr2 700,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
236-3581
Tillv. art.nr:
SSM6N7002KFU,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

US6

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

1.2mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

-0.79V

Maximal effektförlust Pd

500mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.39nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.1mm

Höjd

900μm

Bredd

2mm

Fordonsstandard

Nej

Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har N-kanal MOS-typ. Den används huvudsakligen i höghastighetsomkopplingstillämpningar.

Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.