Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 236-3571
- Tillv. art.nr:
- SSM3J351R,LF(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
179,55 kr
(exkl. moms)
224,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 550 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,591 kr | 179,55 kr |
| 100 - 200 | 3,19 kr | 159,50 kr |
| 250 - 450 | 3,129 kr | 156,45 kr |
| 500 - 950 | 3,062 kr | 153,10 kr |
| 1000 + | 2,874 kr | 143,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3571
- Tillv. art.nr:
- SSM3J351R,LF(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 129mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Längd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 129mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.8mm | ||
Längd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har P-kanal MOS-typ. Den används främst i strömhanteringsomkopplingstillämpningar.
Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C
Relaterade länkar
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 12 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V, 3 Ben, SOT-23