Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

179,55 kr

(exkl. moms)

224,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 650 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 503,591 kr179,55 kr
100 - 2003,19 kr159,50 kr
250 - 4503,129 kr156,45 kr
500 - 9503,062 kr153,10 kr
1000 +2,874 kr143,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3571
Tillv. art.nr:
SSM3J351R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

129mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20 V

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15.1nC

Framåtriktad spänning Vf

0.85V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.8mm

Längd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.9 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Relaterade länkar