Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V, 6 Ben, US6

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 200 enheter)*

178,60 kr

(exkl. moms)

223,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 400 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
200 - 2000,893 kr178,60 kr
400 - 6000,873 kr174,60 kr
800 - 10000,857 kr171,40 kr
1200 - 28000,802 kr160,40 kr
3000 +0,731 kr146,20 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3582
Tillv. art.nr:
SSM6N7002KFU,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

US6

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

1.2mΩ

Maximal effektförlust Pd

500mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.39nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.79V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.9mm

Fordonsstandard

Nej

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Relaterade länkar