Toshiba N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V, 6 Ben, US6

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (200 enheter, i en förpackning med 200)*

178,60 kr

(exkl. moms)

223,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
200 - 2000,893 kr178,60 kr
400 - 6000,873 kr174,60 kr
800 - 10000,857 kr171,40 kr
1200 - 28000,802 kr160,40 kr
3000 +0,731 kr146,20 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3582
Tillv. art.nr:
SSM6N7002KFU,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

US6

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

1.2mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

500mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.39nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.79V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2mm

Höjd

900μm

Fordonsstandard

Nej

Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har N-kanal MOS-typ. Den används huvudsakligen i höghastighetsomkopplingstillämpningar.

Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.