Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 236-3573
- Tillv. art.nr:
- SSM3J356R,LF(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
101,00 kr
(exkl. moms)
126,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 150 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 350 enhet(er) från den 02 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,02 kr | 101,00 kr |
| 100 - 200 | 1,796 kr | 89,80 kr |
| 250 - 450 | 1,763 kr | 88,15 kr |
| 500 - 950 | 1,729 kr | 86,45 kr |
| 1000 + | 1,617 kr | 80,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3573
- Tillv. art.nr:
- SSM3J356R,LF(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.9mm | |
| Längd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.9mm | ||
Längd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har P-kanal MOS-typ. Den används främst i strömhanteringsomkopplingstillämpningar.
Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C
Relaterade länkar
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 12 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 40 V, 3 Ben, SOT-23