Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 60 V, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

101,00 kr

(exkl. moms)

126,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 450 enhet(er) levereras från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 502,02 kr101,00 kr
100 - 2001,796 kr89,80 kr
250 - 4501,763 kr88,15 kr
500 - 9501,729 kr86,45 kr
1000 +1,617 kr80,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3573
Tillv. art.nr:
SSM3J356R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.3nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

2.9 mm

Längd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.8mm

Fordonsstandard

Nej

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Relaterade länkar