Toshiba N Kanal, MOSFET, 100 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-75
- RS-artikelnummer:
- 144-5274
- Tillv. art.nr:
- SSM3K15AFS,LF(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (100 enheter, i en förpackning med 100)*
92,00 kr
(exkl. moms)
115,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 600 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 200 | 0,92 kr | 92,00 kr |
| 300 + | 0,789 kr | 78,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 144-5274
- Tillv. art.nr:
- SSM3K15AFS,LF(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SC-75 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 100mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 1.6mm | |
| Höjd | 700μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 800μm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SC-75 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 100mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 1.6mm | ||
Höjd 700μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 800μm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
MOSFET N-kanal, SSM3K-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- ROHM N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, RE1C001UN
- Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SC-67, 2SK
- Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 5 A 900 V Förbättring, 3 Ben, SC-67, 2SK
- Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 3 A 900 V Förbättring, 3 Ben, SC-67, 2SK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V, 6 Ben, US6
- onsemi N Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA
