Toshiba 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

79,90 kr

(exkl. moms)

99,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • 200 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4000,799 kr79,90 kr
500 - 9000,698 kr69,80 kr
1000 +0,643 kr64,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2523
Tillv. art.nr:
SSM6N7002KFU
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-363

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

1.75Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

500mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.39nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.79V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Höjd

0.9mm

Längd

2mm

Bredd

1.25mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
TH
Höghastighetsomkoppling

Lågt drain-source-motstånd på

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (vid VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (@VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (@VGS = 4,5 V)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.