Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

111,00 kr

(exkl. moms)

138,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 475 enhet(er) levereras från den 11 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 254,44 kr111,00 kr
50 - 754,35 kr108,75 kr
100 - 2253,942 kr98,55 kr
250 - 9753,871 kr96,78 kr
1000 +3,553 kr88,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3580
Tillv. art.nr:
SSM3K341R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

43mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.3nC

Maximal effektförlust Pd

2.4W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

-0.9V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.8mm

Bredd

2.9 mm

Fordonsstandard

Nej

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Relaterade länkar