Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

102,25 kr

(exkl. moms)

127,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 1 950 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 502,045 kr102,25 kr
100 - 2001,819 kr90,95 kr
250 - 4501,788 kr89,40 kr
500 - 9501,749 kr87,45 kr
1000 +1,637 kr81,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3575
Tillv. art.nr:
SSM3K329R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

289mΩ

Framåtriktad spänning Vf

-0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.8mm

Längd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har N-kanal MOS-typ. Den används huvudsakligen i strömhanteringsomkopplings- och höghastighetsomkopplingstillämpningar.

Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.