STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N
- RS-artikelnummer:
- 219-4227
- Tillv. art.nr:
- SCTW40N120G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 30 enheter)*
4 906,17 kr
(exkl. moms)
6 132,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 163,539 kr | 4 906,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-4227
- Tillv. art.nr:
- SCTW40N120G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCTW40N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 278W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCTW40N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal effektförlust Pd 278W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101