STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- RS-artikelnummer:
- 233-0474
- Tillv. art.nr:
- SCTWA70N120G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 30 enheter)*
12 225,15 kr
(exkl. moms)
15 281,43 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 330 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 407,505 kr | 12 225,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-0474
- Tillv. art.nr:
- SCTWA70N120G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 91A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 547W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.7V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 15.6mm | |
| Längd | 34.8mm | |
| Höjd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 91A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCTWA70N120G2V-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 547W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.7V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 15.6mm | ||
Längd 34.8mm | ||
Höjd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 2: a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av omkopplingsförlusten är nästan oberoende av samlingstemperaturen.
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet
Mycket hög driftstemperatur (TJ = 200 °C)
Källdetekteringsstift för ökad effektivitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 90 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT019 AEC-Q101