STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

4 848,36 kr

(exkl. moms)

6 060,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 30 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +161,612 kr4 848,36 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-972
Tillv. art.nr:
SCTWA40N12G24AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

33A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Hip-247

Serie

SCTWA40N12G24AG

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

105mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

3.4V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Maximal effektförlust Pd

290W

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 2: a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av omkopplingsförlusten är nästan oberoende av samlingstemperaturen.

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Källdetekteringsstift för ökad effektivitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.