STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- RS-artikelnummer:
- 168-8966
- Tillv. art.nr:
- SCT30N120
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 30 enheter)*
4 776,33 kr
(exkl. moms)
5 970,42 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 300 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 159,211 kr | 4 776,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-8966
- Tillv. art.nr:
- SCT30N120
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 105nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 270W | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 105nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 270W | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanalig MOSFET i kiselkarbid (SiC), STMicroelectronics
MOSFET:er i kiselkarbid (SiC) har mycket låg statisk drain-source on-resistans för 1200V-klassningen i kombination med utmärkt switchprestanda, vilket ger effektivare och kompaktare system.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V, 3 Ben, Hip-247, SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35