STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N
- RS-artikelnummer:
- 219-4228
- Tillv. art.nr:
- SCTW40N120G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 219-4228
- Tillv. art.nr:
- SCTW40N120G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCTW40N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 278W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCTW40N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 278W | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 20.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics kiselkarbid-effekt-MOSFET-enhet har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 2: a generationens Sic MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av omkopplingsförlusten är nästan oberoende av samlingstemperaturen.
Mycket hög driftstemperatur (TJ = 200 °C)
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101