STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
233-3023
Tillv. art.nr:
SCTW70N120G2V
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

91A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCTW70N

Kapseltyp

Hip-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

21mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

547W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

2.7V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22V

Maximal arbetstemperatur

200°C

Bredd

5.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Höjd

20.15mm

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET tillverkas med hjälp av de avancerade, innovativa egenskaperna hos breda bandgap-material. Detta resulterar i ett oöverträffat på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda nästan oberoende av temperatur. De utmärkta termiska egenskaperna hos Sic-materialet gör det möjligt för konstruktörer att använda en industristandardkonstruktion med avsevärt förbättrad termisk kapacitet. Dessa egenskaper gör enheten perfekt lämpad för tillämpningar med hög effektivitet och hög effekttäthet.

Mycket hög driftstemperatur (TJ = 200 °C)

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.