STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

7 367,70 kr

(exkl. moms)

9 209,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +245,59 kr7 367,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
239-5529
Tillv. art.nr:
SCTW60N120G2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Kapseltyp

Hip-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

73mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

389W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

18 V

Framåtriktad spänning Vf

3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

94nC

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

UL

Längd

34.8mm

Höjd

5mm

Bredd

15.6 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Very high operating junction temperature capability

Relaterade länkar