Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 273-2968
- Tillv. art.nr:
- IKB06N60TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
38,98 kr
(exkl. moms)
48,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 996 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 19,49 kr | 38,98 kr |
| 50 - 98 | 16,465 kr | 32,93 kr |
| 100 - 248 | 12,88 kr | 25,76 kr |
| 250 - 498 | 11,87 kr | 23,74 kr |
| 500 + | 11,20 kr | 22,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2968
- Tillv. art.nr:
- IKB06N60TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 12A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 88W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.05V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | |
| Serie | TrenchStop | |
| Längd | 9.45mm | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 12A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 88W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.05V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | ||
Serie TrenchStop | ||
Längd 9.45mm | ||
Höjd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IGBT3 compacted with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of
High ruggedness and temperature stable behaviour
Very tight parameter distribution
High device reliability
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 600 V, TO-263
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT, 24 A 600 V, TO-263
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 4 A 600 V, TO-251