Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

6 031,00 kr

(exkl. moms)

7 539,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +6,031 kr6 031,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2966
Tillv. art.nr:
IKB06N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

12A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

88W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.05V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

9.45mm

Bredd

10.31 mm

Standarder/godkännanden

Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022

Serie

TrenchStop

Höjd

4.57mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT3 compacted with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of

High ruggedness and temperature stable behaviour

Very tight parameter distribution

High device reliability

Relaterade länkar