Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

6 031,00 kr

(exkl. moms)

7 539,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +6,031 kr6 031,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2966
Tillv. art.nr:
IKB06N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

12A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

88W

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.05V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022

Höjd

4.57mm

Längd

9.45mm

Serie

TrenchStop

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT3 compacted with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of

High ruggedness and temperature stable behaviour

Very tight parameter distribution

High device reliability

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.