Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 600 V, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 242-0970
- Tillv. art.nr:
- AUIRG4BC30SSTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 242-0970
- Tillv. art.nr:
- AUIRG4BC30SSTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 34A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.4V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 23.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 34A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.4V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 23.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V, DC-1 kHz diskret IGBT-transistor för fordon i en D2-Pak-kapsel. Den kontinuerliga kollektorströmmen är 34 A. Drifttemperaturen is -55 °C till 150 °C.
Teknik för ytmontering
Effektförlusten är 100 W
Typiska tillämpningar: PTC-värmare, urladdningsbrytare, reläbyten
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 600 V, TO-263
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 24 A 600 V, TO-263