Infineon, IGBT, 24 A 600 V, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 258-7063
- Tillv. art.nr:
- IKB10N60TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
6 892,00 kr
(exkl. moms)
8 615,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 6,892 kr | 6 892,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-7063
- Tillv. art.nr:
- IKB10N60TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 24A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 24A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Standarder/godkännanden JEDEC1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.
Lowest VCEsat drop for lower conduction losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behaviour
Low gate charg
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, 24 A 600 V, TO-263
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 600 V, TO-263
- Infineon, IGBT-modul, 24 A 600 V, TO-220
- Infineon, IGBT, 15 A 650 V, TO-263
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 24 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-modul, 4.7 A, TO-263
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta