Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 4 A 600 V, TO-251

Se alla IGBT:er
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
RS-artikelnummer:
244-0896
Tillv. art.nr:
IGU04N60TAKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

4A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

42W

Kapseltyp

TO-251

Kanaltyp

Typ N

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Fordonsstandard

Nej

Infineon IGBT, 4 A maximal kontinuerlig kollektorström, 600 V maximal kollektor-emitterspänning – IGU04N60TAKMA1


Denna IGBT är en mycket effektiv transistor som är utformad för användning i krävande tillämpningar. Med en maximal kollektor-emitterspänning på 600 V och en kontinuerlig kollektorström på 4 A utmärker sig denna TO-251 IGBT-modul i prestanda. De kompakta måtten på 6,6 x 6,1 x 0,09 mm gör den lämplig för en mängd olika konfigurationer samtidigt som den fungerar effektivt inom ett temperaturområde från -40 °C till +175 °C.

Funktioner & fördelar


• Mycket låg mättnadsspänning förbättrar energieffektiviteten

• Kortslutningshålltid på 5 μs ökar tillförlitligheten

• Hög omkopplingshastighet optimerar systemprestanda

• Låg grindladdning minskar drivkraftskraven

• Utmärkt termisk stabilitet säkerställer konsekvent drift

• Tät parameterfördelning förbättrar designflexibiliteten

Användningsområden


• Används i frekvensomriktare för effektiv energiomvandling

• Idealisk för elektriska motorstyrningar i industriella miljöer

• Effektiv i strömförsörjning där utrymmet är begränsat

• Lämpligt för förnybara energisystem som kräver hög effektivitet

• Utformad för olika automationssystem som kräver tillförlitlighet

Vilka är de viktigaste elektriska egenskaperna hos denna IGBT?


Denna enhet har en maximal kollektor-emitterspänning på 600 V och en kontinuerlig kollektorström på 4 A, vilket gör den lämplig för högeffektstillämpningar. Dess maximala effektförlust är klassad för 42 W, vilket gör att den kan hantera betydande belastningskrav effektivt.

Hur påverkar gate-emitter-spänningsområdet användbarheten?


Grindemitter-spänningsområdet på ±20 V ger flexibilitet i drivkonfigurationer, vilket möjliggör integrering med en mängd olika styrkretsar samtidigt som stabil drift upprätthålls under olika förhållanden.

Vilka är fördelarna med specifikationerna för termisk resistans?


Med en termisk resistans på 3,5 K/W mellan koppling och hölje säkerställer denna IGBT effektiv värmehantering, vilket möjliggör långvarig drift vid höga temperaturer utan prestandaförsämring, vilket är avgörande för tillämpningar med hög effekt.

Vad gör denna IGBT lämplig för tuffa miljöer?


Enheten fungerar mellan -40 °C och +175 °C, vilket säkerställer tillförlitlighet vid extrema temperaturer, vilket är avgörande för industriella tillämpningar som utsätts för varierande miljöförhållanden.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.