Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 264,44 kr

(exkl. moms)

1 580,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 110 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +42,148 kr1 264,44 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6619
Tillv. art.nr:
AIKW50N60CTXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.21mm

Serie

TRENCHSTOPTM

Standarder/godkännanden

No

Längd

42mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons Fieldtop-teknik med isolerad bipolär porttransistor med mjuk snabb återställning, anti-parallell emitterstyrd diod.

Högeffektiv

Låga omkopplingsförluster

Ökad tillförlitlighet

Låg elektromagnetisk störning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.