Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 264,44 kr

(exkl. moms)

1 580,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 110 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +42,148 kr1 264,44 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6619
Tillv. art.nr:
AIKW50N60CTXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.21mm

Längd

42mm

Serie

TRENCHSTOPTM

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon fieldstop technology insulated-gate bipolar transistor with soft fast recovery anti parallel emitter controlled diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.