Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

84,90 kr

(exkl. moms)

106,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 852 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 842,45 kr84,90 kr
10 - 9838,92 kr77,84 kr
100 - 24835,95 kr71,90 kr
250 - 49833,49 kr66,98 kr
500 +32,37 kr64,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6630
Tillv. art.nr:
IGB50N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

90A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

333W

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Fordonsstandard

Nej

The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar