Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 260-5225
- Tillv. art.nr:
- IRS2308SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
96,77 kr
(exkl. moms)
120,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 600 enhet(er) från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 19,354 kr | 96,77 kr |
| 25 - 45 | 14,134 kr | 70,67 kr |
| 50 - 120 | 13,172 kr | 65,86 kr |
| 125 - 245 | 12,388 kr | 61,94 kr |
| 250 + | 11,424 kr | 57,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5225
- Tillv. art.nr:
- IRS2308SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 35ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 220ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS2308(S)PbF | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 35ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 220ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie IRS2308(S)PbF | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon half bridge driver are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels.
Floating channel designed for bootstrap operation
Under voltage lockout for both channels
Cross conduction prevention logic
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 14 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 200 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 20 V, SOIC