AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

36 287,50 kr

(exkl. moms)

45 360,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +14,515 kr36 287,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
223-8461
Tillv. art.nr:
AUIRS21271STR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT

Utström

290mA

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

65ns

Antal utgångar

1

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

200ns

Minsta matningsspänning

9V

Maximal matningsspänning

600V

Antal drivare

1

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Bredd

4 mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS, Lead-Free

Höjd

1.75mm

Fästetyp

Yta

Fordonsstandard

AEC-Q100

The Infineon AUIRS2127 series are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs.

FAULT lead indicates shutdown has occurred

Floating channel designed for bootstrap operation

Output in phase with input

Lead-free

RoHS compliant

Automotive qualified

Relaterade länkar

Recently viewed