Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets, 360 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 244-9742
- Tillv. art.nr:
- IR2102STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
10,84 kr
(exkl. moms)
13,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 775 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 10,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-9742
- Tillv. art.nr:
- IR2102STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET- och IGBT-drivkrets | |
| Utström | 360mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 90ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 100ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | IR2101(S)/IR2102(S) | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET- och IGBT-drivkrets | ||
Utström 360mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 90ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 100ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie IR2101(S)/IR2102(S) | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons gate-drivkretsar är utformade för MOSFET, IGBT, SiC MOSFET och GaN HEMT-enheter. Dessa enheter har robusta gate-drivskyddsfunktioner som snabbt kortslutningsskydd (DESAT), aktiv Miller-klämma, genomskjutningsskydd, fel, avstängning och överströmsskydd. Detta gör drivkretsar väl lämpade för både kisel- och bredbandiga strömförsörjningsenheter, inklusive CoolGaN och CoolSiC. Det är därför Infineon erbjuder mer än 500 EiceDRIVER grinddrivare IC-lösningar som är lämpliga för alla strömomkopplare och alla applikationer.
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Helt operativ till +600 V
Tolerant mot negativ transientspänning
dV/dt-immun
Strömförsörjningsområde för grinddrivning från 10 till 20 V
Spärr vid underspänning
3,3 V, 5 V och 15 V logisk ingång kompatibel
Matchande propagationsfördröjning för båda kanalerna
Utgångar i fas med ingångar (IR2101) eller ut
fas med ingångar (IR2102)
Finns även Blyfri
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets, 360 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.35 A, 14 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.5 A, 8 Ben 20 V, PDIP
- Infineon Gate-drivare, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 1, 130 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare, 2 A, 16 Ben 1225 V, SOIC