Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets, 360 mA, 8 Ben 600 V, SOIC

Se alla Gate-drivare

Antal (1 enhet)*

10,84 kr

(exkl. moms)

13,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 785 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +10,84 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-9742
Tillv. art.nr:
IR2102STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET- och IGBT-drivkrets

Utström

360mA

Antal ben

8

Falltid

90ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

100ns

Minsta matningsspänning

20V

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

IR2101(S)/IR2102(S)

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices.These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. This makes driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN, and CoolSiC. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600V

Tolerant to negative transient voltage

dV/dt immune

Gate drive supply range from 10 to 20V

Undervoltage lockout

3.3V, 5V, and 15V logic input compatible

Matched propagation delay for both channels

Outputs in phase with inputs (IR2101) or out of

phase with inputs (IR2102)

Also available LEAD-FREE

Relaterade länkar