Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 14 Ben 20V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6183
- Tillv. art.nr:
- IRS21064STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
56,45 kr
(exkl. moms)
70,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 505 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 11,29 kr | 56,45 kr |
| 25 - 45 | 9,586 kr | 47,93 kr |
| 50 - 120 | 9,032 kr | 45,16 kr |
| 125 - 245 | 8,354 kr | 41,77 kr |
| 250 + | 7,778 kr | 38,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6183
- Tillv. art.nr:
- IRS21064STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 14 | |
| Falltid | 80ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 100ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 8.74mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | IRS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 14 | ||
Falltid 80ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 100ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 8.74mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie IRS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IRS21064 är högspännings-, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivkretsar med oberoende referensutgångskanaler för hög och låg sida. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren.
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Fullt fungerande i +600 V
Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun
Gate-drivningens strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 14 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 290 mA, 8 Ben 20V, DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 1.9 A, 14 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 500 mA, 44 Ben 20V, SOIC