Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 600 V, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

20,94 kr

(exkl. moms)

26,18 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 480 enhet(er) från den 03 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1810,47 kr20,94 kr
20 - 488,96 kr17,92 kr
50 - 988,40 kr16,80 kr
100 - 1987,785 kr15,57 kr
200 +7,28 kr14,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-4014
Tillv. art.nr:
IRS2308STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

600mA

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

35ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

220ns

Minsta matningsspänning

10V

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Serie

IRS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon half bridge driver is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V.

Floating channel designed for bootstrap operation

Gate drive supply range from 10 V to 20 V

Under voltage lockout for both channels

Cross-conduction prevention logic

Matched propagation delay for both channels

Outputs in phase with inputs

Relaterade länkar