Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC

Denna grinddrivare ger dubbelkanalig styrning för MOSFET-omkoppling i högspänningstillämpningar, accepterar matning ned till 10 V och drivs upp till 600 V. Den levereras i ett 8-stifts ytmonterat SOIC-paket och är avsedd för användare som behöver kompakt, högspännings-MOSFET-drivkapacitet över ett brett temperaturområde.

• 290 mA utgångsström ger tillräcklig gate-drivning för MOSFET-transistorer med medelhög effekt
• 170 ns stigtid möjliggör relativt snabb påslagning för effektiv omkoppling
• Falltid på 90 ns säkerställer snabb avstängning för att begränsa överlappningsförluster
• Klassad för drift på 600 V med stöd för högspänningstopologier
• Drivs med 10 V-strömförsörjning för kompatibilitet med vanliga styrskenor
• RoHS-överensstämmelse minskar farliga ämnen i monteringar

• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Används med MOSFET-arrangemang med halvbrygga i omvandlare
• Lämplig för industriell grindstyrning av motordrivningar
• Används vid grindstyrning i steg med effektfaktorkorrigering
• Kan användas för isolerade gate-drivenheter

Den levereras i ett 8-stifts SOIC-paket utformat för ytmontering.

Enheten fungerar i extrema driftstemperaturer från -40 °C till 125 °C.

Det finns två utgångar för styrning av dubbla MOSFET.

Den är inte klassad som en enhet enligt fordonsstandard.