Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC

RS-artikelnummer:: 226-6213
Tillv. art.nr:: IRS2304STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

16 052,50 kr

(exkl. moms)

20 065,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 25 juni 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	6,421 kr	16 052,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 226-6213
Tillv. art.nr:: IRS2304STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	Gate-drivare
	Utström	290mA
	Antal ben	8
	Kapseltyp	SOIC
	Falltid	60ns
	Typ av drivsteg	MOSFET
	Antal utgångar	2
	Stigtid	120ns
	Minsta matningsspänning	10V
	Maximal matningsspänning	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.75mm
	Längd	5mm
	Serie	IRS
	Bredd	4mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Typ av fäste	Yta
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp Gate-drivare
	Utström 290mA
	Antal ben 8
	Kapseltyp SOIC
	Falltid 60ns
	Typ av drivsteg MOSFET
	Antal utgångar 2
	Stigtid 120ns
	Minsta matningsspänning 10V
	Maximal matningsspänning 20V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.75mm
	Längd 5mm
	Serie IRS
	Bredd 4mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Typ av fäste Yta
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRS2304STRPBF

Infineon IRS-serien grinddrivare, 10 V minsta matningsspänning, 290 mA utgångsström – IRS2304STRPBF

Denna grinddrivare är en MOSFET-drivare med dubbla utgångar som är utformad för att ansluta lågspänningsstyrlogik till effekttransistorer, vilket ger grinddrivning över ett måttligt matningsområde för ytmonterade tillämpningar i kompakta enheter.

Funktioner och fördelar:

• Minsta strömförsörjning på 10 V möjliggör drift från lågspänningsskenor
• Maximal strömförsörjning på 20 V klarar höga krav på grinddrivning
• 290 mA utgångsström ger högströmsomkopplingsförmåga
• 120 ns stigtid stöder måttligt snabba påslagningsövergångar
• Falltid på 60 ns möjliggör snabb avstängning för minskad omkopplingsförlust
• 8-stifts SOIC-paket förenklar kortplacering och lödning

Användningsområden

• Lämplig för grindstyrning med två kanaler och effektsteg
• Idealisk för kompakta ytmonterade strömomvandlare
• Används med MOSFET-transistorer som kräver medelstor drivström
• Kan användas för synkrona omkopplingssteg
• Används för grindstyrning där det finns ett brett temperaturområde

I vilket temperaturområde kan den användas?

Den fungerar mellan -40 °C och 150 °C, vilket möjliggör användning i breda termiska miljöer.

Vilken monteringsstil krävs för kretskortsmontering?

Enheten levereras i ett ytmonterat SOIC-paket avsett för omsmältningslödning på kretskort.

Hur många utgångar finns tillgängliga för drivtransistorer?

Den tillhandahåller två utgångar så att du kan driva två MOSFET-grindar oberoende av varandra.

Vilket antal stift och förpackningsutformning följer den?

Komponenten är en 8-stifts SOIC-profil som är lämplig för utrymmesmedvetna layouter.

Vilken typ av drivrutinsfunktionalitet tillhandahålls?

Den fungerar som en MOSFET-grinddrivare och omvandlar matnings- och logikingångar till grinddrivarsignaler.