Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6197
- Tillv. art.nr:
- IRS21271STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
63,39 kr
(exkl. moms)
79,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 180 enhet(er) från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,339 kr | 63,39 kr |
| 50 - 90 | 6,026 kr | 60,26 kr |
| 100 - 240 | 5,779 kr | 57,79 kr |
| 250 - 490 | 5,522 kr | 55,22 kr |
| 500 + | 5,13 kr | 51,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6197
- Tillv. art.nr:
- IRS21271STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 65ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 80ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Serie | IRS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 65ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 80ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.75mm | ||
Serie IRS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRS21271 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3 V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, -dV/dt immune
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 14 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 250 mA, 8 Ben 20 V, SOIC-8
- Infineon MOSFET, MOSFET, 270 mA, 8 Ben 20 V, SOIC