Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 250 enheter)*

453,50 kr

(exkl. moms)

567,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
250 +1,814 kr453,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
827-0096
Tillv. art.nr:
BSS806NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

OptiMOS 2

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

82mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8 V

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Maximal effektförlust Pd

500mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.7nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.3 mm

Längd

2.9mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ 2 Series MOSFET, 2.3A Maximum Continuous Drain Current, 500 mW Maximum Power Dissipation - BSS806NH6327XTSA1


This MOSFET is tailored for efficient power management in various electronic applications, supporting a maximum continuous drain current of 2.3A and a maximum drain source voltage of 20V. Its low resistance features help to minimise energy losses, making it suitable for applications that require a high level of confidence under stringent conditions.

Features & Benefits


• N-channel configuration enhances switching performance

• Enhancement mode reduces off-state leakage

• Ultra logic level compatibility suitable for 1.8V applications

• Integrated avalanche rating improves robustness under stress

• AEC-Q101 qualified for automotive applications ensures long-lasting performance

• Surface mount design enables straightforward integration into compact circuitry

Applications


• Ideal for power management in automotive electronics

• Utilised for driving low-voltage loads in automation systems

• Suitable for switching in power supplies

• Designed for high temperature operating environments

Can it be used in automotive applications?


Yes, it is AEC-Q101 qualified, ensuring its suitability for automotive environments.

What is the operating temperature range?


The operating temperature range is between -55°C and +150°C.

How does its RDS(on) value impact circuit performance?


A low RDS(on) value reduces power loss during operation, enhancing overall efficiency.

What is the significance of its gate threshold voltage?


The gate threshold voltage indicates when the MOSFET begins conducting, which is vital for controlling switch timing.

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET-familj


Infineons OptiMOS™2 N-Channel-familjen erbjuder branschens lägsta on-state-resistans inom sin spänningsgrupp. Power MOSFET-serien kan användas i många applikationer, t.ex. högfrekvent telekom, datakom, solenergi, lågspänningsdrift och strömförsörjning för servrar. Anoden OptiMOS 2 produktfamiljen sträcker sig från 20V och uppåt och erbjuder ett urval av olika kapslingstyper.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar