Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 667,00 kr

(exkl. moms)

3 333,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,889 kr2 667,00 kr
6000 - 120000,844 kr2 532,00 kr
15000 +0,791 kr2 373,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
145-8833
Tillv. art.nr:
BSS316NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

OptiMOS 2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.9mm

Höjd

0.9mm

Bredd

1.3mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Infineon OptiMOS 2-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 1,4 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS316NH6327XTSA1


Denna n-kanals MOSFET är en ytmonterad switchtransistor som är utformad för lågspänning i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar som en förstärkningsenhet som är lämplig för omkopplings- och styruppgifter i fordons- och industrisammanhang, med en gate-source-spänningsklassning som möjliggör robusta drivmarginaler för typiska styrkretsar.

Funktioner och fördelar:


• Låg påslagningsresistans ger effektiv ledning och minskade förluster
• 30 V drain-source-klassning stöder vanliga lågspänningssystem
• 1.4 A kontinuerlig strömkapacitet hanterar måttliga belastningar
• 0.6 nC typisk grindladdning möjliggör snabba växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 500 mW passar snäva termiska budgetar
• AEC-Q101-kvalificering ger tillförlitlighetskriterier av fordonskvalitet

Användningsområden


• Lämplig för omkoppling av last i bilar med låg spänning
• Idealisk för belastningspunktkonvertering i kompakt elektronik
• Används med batteridrivna system som kräver liten formfaktor
• Kan användas för grindstyrning med motordrivning i små manöverdon
• Lämplig för strömhantering på tätt belägna kort

Vilket temperaturområde tål den under drift?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i breda temperaturmiljöer.

Hur många elektriska anslutningar presenterar den för kortet?


Den använder en trepolig konfiguration som är kompatibel med standard SOT-23-jordmönster för ytmontering.

Vilken maximal spänning bör tillämpas mellan grind och källa?


Gate-to-source-klassificeringen är 20 V, vilket definierar den maximala säkra gate-drive-amplituden.

Vilka överväganden om pakethöjd och fotavtryck påverkar layouten?


Kapseln har en låg profil med en höjd på 0,9 mm och ett rektangulärt fotavtryck på 2,9 x 1,3 mm för kompakta kretskortsdesigner.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.