Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 823-5500
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-428
- Tillv. art.nr:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
169,35 kr
(exkl. moms)
211,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Begränsat lager
- 300 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 3,387 kr | 169,35 kr |
| 250 - 450 | 2,303 kr | 115,15 kr |
| 500 - 1200 | 2,166 kr | 108,30 kr |
| 1250 - 2450 | 2,032 kr | 101,60 kr |
| 2500 + | 1,185 kr | 59,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 823-5500
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-428
- Tillv. art.nr:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 130mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 130mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™P P-kanaliga effekt-MOSFET:er
Anoden Infineon OptiMOS™ P-kanaliga effekt-MOSFET:er är konstruerade för att ge förbättrade funktioner med kvalitetsprestanda. Bland egenskaperna finns ultralåg switchförlust, on-state-resistans, lavinklassning samt AEC-kvalificering för lösningar inom fordonsindustrin. Applikationerna omfattar likström, motorstyrning, fordonsindustri och eMobility.
Förbättringsläge
Avalanche-klassad
Låga effektförluster vid växling och ledning
Pb-fri blyplätering; RoHS-kompatibel
Standardpaket
OptiMOS™ P-kanalsserie: Temperaturområde från -55°C till +175°C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, ZXMP10A17E6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
