Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

169,35 kr

(exkl. moms)

211,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • 150 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 2003,387 kr169,35 kr
250 - 4502,303 kr115,15 kr
500 - 12002,166 kr108,30 kr
1250 - 24502,032 kr101,60 kr
2500 +1,185 kr59,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
823-5500
Distrelec artikelnummer:
304-44-428
Tillv. art.nr:
BSS308PEH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

OptiMOS P

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

130mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

500mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.3mm

Längd

2.9mm

Höjd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 130 mΩ maximal drain-källresistans – BSS308PEH6327XTSA1


Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad omkoppling och styrning i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och är konstruerad för att fungera där låg spänning och omkoppling med måttlig ström krävs. Enheten levereras i ett SOT-23-paket och är kompatibel med fordonstillämpningar.

Funktioner och fördelar:


• Låg påslagningsresistans på 130 mΩ minskar ledningsförluster
• Klassad för 30 V drain-source-motstånd för lågspänningssystem
• Kontinuerlig dräneringsström på 1,6 A stöder måttliga belastningar
• Typisk grindladdning på 5 nC möjliggör snabbare grindväxling
• Maximal gate-källspänning på 20 V möjliggör robusta drivmarginaler
• Effektförlustkapacitet på 500 mW underlättar värmehantering

Användningsområden


• Lämplig för belastningsfrånkoppling i 12 V fordonssystem
• Idealisk för batteriskydd och styrning av strömvägar
• Används med ingångsstegsväxling för DC/DC-omvandlare
• Kan användas för signalnivåströmomkoppling i moduler
• Lämplig för kompakta ytmonterade kraftkort

Vilka termiska extremer tål den under drift?


Den är specifik för drift ned till -55 °C och upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stor termisk variation.

Vilket paket och monteringsmetod använder den?


Den levereras i en SOT-23-kapsel utformad för ytmontering på kretskortsmonteringar.

Hur uppför sig enheten när det gäller gate-drivkonstruktion?


Med en maximal VGS-klassning på 20 V och en typisk grindladdning på 5 nC kräver den blygsam drivkapacitet och snabba grinddrivrutiner för att uppnå snabb omkoppling.

Är enheten lämplig för fordonskvalificeringskrav?


Den överensstämmer med AEC-Q101-standarder, vilket gör den acceptabel för många fordonselektronikkonstruktioner.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.