Infineon N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

3 609,00 kr

(exkl. moms)

4 512,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30001,203 kr3 609,00 kr
6000 - 120001,143 kr3 429,00 kr
15000 +1,071 kr3 213,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-5868
Tillv. art.nr:
BSS806NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

82mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.7nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8, +8V

Maximal effektförlust Pd

500mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.9mm

Höjd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Infineon OptiMOSTM 2-serien MOSFET, 2,3 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 500 mW maximal effektförlust - BSS806NH6327XTSA1


Denna MOSFET är skräddarsydd för effektiv strömhantering i olika elektroniska tillämpningar, med stöd för en maximal kontinuerlig dräneringsström på 2,3 A och en maximal dräneringskällspänning på 20 V. Dess låga resistansfunktioner bidrar till att minimera energiförluster, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver en hög nivå av förtroende under stränga förhållanden.

Funktioner & fördelar


• N-kanalkonfigurationen förbättrar omkopplingsprestanda

• Förbättringsläge minskar läckage i avstängt tillstånd

• Kompatibilitet med ultralogiknivå som är lämplig för 1,8 V-tillämpningar

• Integrerad avalanche-klassning förbättrar robustheten under påfrestning

• AEC-Q101-kvalificerad för fordonstillämpningar säkerställer långvarig prestanda

• Ytmonterad design möjliggör enkel integrering i kompakta kretsar

Användningsområden


• Idealisk för strömhantering inom fordonselektronik

• Används för att driva lågspänningslaster i automationssystem

• Lämplig för omkoppling nätaggregat

• Utformad för driftsmiljöer med hög temperatur

Kan den användas i fordonsapplikationer?


Ja, den är AEC-Q101-kvalificerad, vilket säkerställer dess lämplighet för fordonsmiljöer.

Vad är driftstemperaturområdet?


Drifttemperaturområdet är mellan -55 °C och +150 °C.

Hur påverkar dess RDS(on)-värde kretsprestanda?


Ett lågt RDS(on)-värde minskar effektförlusten under drift, vilket förbättrar den övergripande effektiviteten.

Vad är betydelsen av grindtröskelspänningen?


Gränsspänningen indikerar när MOSFET börjar ledning, vilket är avgörande för att styra omkopplartider.

Infineon OptiMOSTM2 Power MOSFET-serien


OptiMOSTM2OptiMOS 2

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.