Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 892-2374
- Tillv. art.nr:
- BSS205NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
248,50 kr
(exkl. moms)
310,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 2,485 kr | 248,50 kr |
| 500 - 900 | 2,361 kr | 236,10 kr |
| 1000 - 2400 | 1,864 kr | 186,40 kr |
| 2500 - 4900 | 1,291 kr | 129,10 kr |
| 5000 + | 1,118 kr | 111,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 892-2374
- Tillv. art.nr:
- BSS205NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 85mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 85mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.3mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM 2-serien MOSFET, 2,5 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 500 mW maximal effektförlust - BSS205NH6327XTSA1
Denna N-kanal MOSFET är en VITAL komponent i moderna elektroniska tillämpningar, särskilt inom automations- och fordonssektorer. Den är utformad för effektiva omkopplingstillämpningar och har ett kompakt SOT-23-paket för ytmontering. Dess förmåga att hantera betydande dräneringsströmmar och spänningar gör den lämplig för industriella och fordonskontexter, vilket säkerställer konsekvent prestanda.
Funktioner & fördelar
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 2.5 A
• Maximal drain-källspänning på 20 V
• Minimala Rds(on) på 85 mΩ förbättrar energieffektiviteten
• Kvalificerad enligt AEC-Q101 för fordonstillämpningar
Användningsområden
• Används i fordonsströmhanteringssystem
• Lämpligt för DC-DC-omvandlare i elektroniska enheter
• Används inom motorstyrning för effektiv omkoppling
• Idealisk för effektförstärkning i RF
Vilken typ av skydd erbjuder detta mot spänningsspikar?
Den är avalancheklassad och kan hantera högenergipulser, vilket ger skydd i dynamiska miljöer.
Vad är betydelsen av de låga Rds(on) i denna enhet?
Ett lågt påslagningsmotstånd förbättrar hanteringen av effektförluster och förbättrar effektiviteten, vilket gör den lämplig för högeffektiva tillämpningar.
Hur kan detta installeras på ett kretskort?
Den kan lödas på ett kretskort i SOT-23-kapseln, vilket säkerställer säker montering för ytmonteringstillämpningar.
Vilka är de typiska omkopplingsegenskaperna vid den nominella spänningen?
Enheten visar snabba påslagnings- och avstängningstider, vilket förbättrar omkopplingseffektiviteten i höghastighetstillämpningar.
Är detta kompatibelt med andra komponenter i fordonskretsar?
Ja, den uppfyller fordonsstandarder och fungerar effektivt med olika enheter i strömhanteringskretsar.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101